深圳市誉辉天成电子有限公司
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增强型mosfetNCE1012E采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作闸在电压低至1.8V。这个装置是适合用作一个电池保护或其他开关应用。
产品型号：NCE1012E
产品种类：MOSFET
产品特性：N沟道增强型功率MOSFET
漏源极击穿电压（最大）：20V
连续漏极电流（最大）：0.6A
功率耗散（最大）:1W
栅源极击穿电压:10V
漏源导通电阻（典型值）(4.5V):210mΩ
封装：SOT-523
一般特征:
VDS=20V,ID=0.6A
RDS(ON)<350mΩ@vg=4.5v
RDS(ON)<500mΩ@vg=2.5v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
门源ESD保护
引脚图:
应用领域:
电池供电系统
负载/功率开关手机呼机
电源转换器电路
典型效率曲线:
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