NCE40P13S采用先进的沟槽技术和设计,以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
NCE40P13S p沟道场效应管一般特征:
VDS=-40V,ID=-13A
RDS(ON)<15mΩ@vg=-10v
RDS(ON)<18mΩ@vg=-4.5v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
优异的散热包装
NCE40P13S p沟道场效应管参数:
产品种类:MOSFET
产品特性:P沟道增强型功率MOSFET
漏源极击穿电压(最大):-40V
连续漏极电流(最大):-13A
功率耗散(最大):3W
栅源极击穿电压:20V
漏源导通电阻(典型值)(10V):12mΩ
漏源导通电阻(典型值)(4.5V):15mΩ
封装:SOP-8
NCE40P13S p沟道场效应管应用程序:
电源开关应用
硬开关高频电路
直流-直流转换器
NCE40P13S p沟道场效应管引脚功能:
NCE40P13S p沟道场效应管应用电路图:
绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明):
漏源电压:-40V
栅源电压:±20V
漏极电流连续:-13A
漏极电流连续(TC=100℃):9A
脉冲漏极电流:50A
最大功耗:2.5W
工作结和储存温度范围:-55~150℃
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