常用mos管NCE6020L
NCE6020L采用先进的沟槽技术和设计提供优良的RDS(ON)与低门电荷。它可用于各种各样的应用。
产品型号:NCE6020L
制造商:NCE新洁能
产品种类:MOSFET
产品特性:N沟道增强型功率MOSFET
Vds-漏源极击穿电压:60V
Id-连续漏极电流:20A
Pd-功率耗散:30W
Vgs-栅源极击穿电压:20V
RdsOn@10V-漏源导通电阻:37mΩ
封装:TO-251S
一般特征:
VDS=60V,ID=20A
RDS(ON)<44mΩ@vg=10v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好,均匀性好,EAS高
优异的散热包装
特殊工艺,具有高ESD能力
应用程序:
电源管理
绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):
包装信息: