深圳市誉辉天成电子有限公司
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常用mos管NCE6020L
NCE6020L采用先进的沟槽技术和设计提供优良的RDS(ON)与低门电荷。它可用于各种各样的应用。
产品型号：NCE6020L
制造商：NCE新洁能
产品种类：MOSFET
产品特性：N沟道增强型功率MOSFET
Vds-漏源极击穿电压：60V
Id-连续漏极电流：20A
Pd-功率耗散：30W
Vgs-栅源极击穿电压：20V
RdsOn@10V-漏源导通电阻：37mΩ
封装：TO-251S
一般特征：
VDS=60V,ID=20A
RDS(ON)<44mΩ@vg=10v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
优异的散热包装
特殊工艺，具有高ESD能力
应用程序：
电源管理
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明):
包装信息：
深圳市誉辉天成电子有限公司
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