NCE6020K采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)低栅极电荷。它可以在各种应用中使用。 产品型号:NCE6020K
产品种类:MOSFET
产品特性:N沟道增强型功率MOSFET
漏源极击穿电压(最大):60V
连续漏极电流(最大):20A
功率耗散(最大):30W
栅源极击穿电压:20V
漏源导通电阻(典型值)(10V):37mΩ
封装:TO252
一般特征:
VDS=60V,ID=20A
RDS(ON)<45mΩ@vg=10v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好,均匀性好,EAS高
优异的散热包装
特殊工艺,具有高ESD能力
应用程序:
电源开关应用
硬开关高频电路
不间断电源
应用电路图:
绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明):
漏源电压:60V
栅源电压:±20V
漏极电流连续:20A
漏极电流连续(TC=100℃):14A
脉冲漏极电流:60A
最大功耗:40W
降额因子:0.27W/℃
单脉冲雪崩能量:72mJ
操作结和存储温度范围:-55-175℃
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