深圳市誉辉天成电子有限公司

　　场效应晶体管简称场效应管,主要有两种类型：结型场效应管JFET和金属-氧化物半导体场效应管，简称MOSFET。

　　型号：NCE2007N

　　产品种类：MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：20V

　　连续漏极电流（最大）：6.5A

　　功率耗散（最大）：1.5W

　　栅源极击穿电压：12V

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：14.5mΩ

　　封装：SOT23-6L

　　一般特征：

　　VDS=20V,ID=6.5A

　　RDS(ON)<27mΩ@vg=2.5v

　　RDS(ON)<22mΩ@vg=4.5v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　应用程序：

　　电池保护

　　负荷开关

　　电源管理

　　标记和引脚分配：

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：20V

　　栅源电压：±12V

　　漏极电流连续：6.5A

　　漏极电流脉冲(注1)：25A

　　最大功耗：1.5W

　　操作结和储存温度：-55-150℃

　　誉辉天成电子有限公司以TI为主线，ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线，所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业，合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业，亦有洲明科技及珠海太川等大客户。 公司拥有一批经验丰富的专业采购及销售团队，长期关注电子产业的最新动态与价格变化，与全球IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系，与国内着名设计厂商达成合作，授权代理。同时快速响应新老客户需求，企业内部管理启用了业内先进的ERP管理系统，高效快速整合公司的资源，为客户带来星级服务。