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mos场效应晶体管NCE2010E采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作闸在电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个负荷开关或PWM应用。它是ESD保护。
mos场效应晶体管NCE2010E参数：
产品型号：NCE2010E
产品种类：MOSFET
产品特性：N沟道增强型功率MOSFET
漏源极击穿电压（最大）：20V
连续漏极电流（最大）：7A
功率耗散（最大）：1.5W
栅源极击穿电压：10V
漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：15mΩ
封装：TSSOP8
mos场效应晶体管NCE2010E应用领域：
PWM应用
负荷开关
mos场效应晶体管NCE2010E效率曲线：
应用电路图:
mos场效应晶体管NCE2010E更多参数请致电咨询！
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