深圳市誉辉天成电子有限公司
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NCE3400A采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和低2.5V的栅电压操作。本设备适用于电池保护或其他开关应用。
mosfet管型号NCE3400A一般特征：
VDS=30V,ID=5.8A
RDS(ON)<55mΩ@vg=2.5v
RDS(ON)<42mΩ@vg=4.5v
RDS(ON)<40mΩ@vg=10v
高功率和电流处理能力
无铅产品获得
表面安装包
PWM程序
负荷开关
电源管理
绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：30V
栅源电压：±12V
漏极电流连续：5.8A
漏极电流脉冲(注1)：30A
最大功耗：1.4W
操作结和存储温度范围：-55-150℃
mosfet管型号NCE3400A包装信息:
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