深圳市誉辉天成电子有限公司
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11年
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产品型号：NCE3011E
商品目录：MOS(场效应管)
类型：N沟道
连续漏极电流（Id）（25°C时）：11A
漏源电压（Vdss）：30V
栅源极阈值电压2V@：250uA
漏源导通电阻：10mΩ@8A,10V
最大功率耗散（Ta）：2.5W
一般特征：
VDS=30V,ID=11A
RDS(ON)<10mΩ@vg=10v
RDS(ON)<14mΩ@vg=4.5v
ESD等级:2000VHBM
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
应用程序:
PWM程序
负荷开关
绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明):
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传真：0755-82534548
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