NCE3018AS采用先进的沟槽技术和设计提供优良的RDS(ON)与低门电荷。它可用于各种各样的应用。 产品型号:NCE3018AS
商品目录:MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C时):18A
漏源电压(Vdss):30V
栅源极阈值电压:1.4V@250uA
漏源导通电阻:7mΩ@12A,10V
类型:N沟道
最大功率耗散(Ta):3W
常见mos管NCE3018AS一般特征:
VDS=30v,ID=18
RDS(ON)<7mΩ@vg=10v
RDS(ON)<10mΩ@vg=4.5v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
常见mos管NCE3018AS应用程序:
电源开关应用
硬开关高频电路
不间断电源
绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明):
漏源电压:30v
栅源电压:±20v
漏电流连续:18a
漏电流连续(TA=100℃):12.7A
脉冲漏电流:48a
最大功耗:3w
工作结和储存温度范围:-55~150℃
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