深圳市誉辉天成电子有限公司

　　NCE3020Q采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　新洁能mosfet厂商一般特征：

　　VDS=30V,ID=20A

　　RDS(ON)<9mΩ@vg=10v

　　RDS(ON)<15mΩ@vg=4.5v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　新洁能mosfet厂商应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：30V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：20S

　　漏极电流连续(TC=100℃)ID：14.1A

　　脉冲漏极电流：80A

　　最大功耗：20W

　　降额因子：0.27W/℃

　　单脉冲雪崩能量(注5)：72mJ

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　电气特性(TC=25℃，除非另有说明):