深圳市誉辉天成电子有限公司

　　NCE3025Q采用先进的沟槽技术，并具有出色的通导电阻能力和低栅极电荷。NCE3025Q具有非常广的应用范围。

　　mosfet管一般特征：

　　VDS=30V,ID=25A

　　RDS(ON)<10mΩ@vg=10v

　　RDS(ON)<14mΩ@vg=4.5v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

    mosfet管参数：

　　产品型号：NCE3025Q

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　Vds-漏源极击穿电压：30V

　　Id-连续漏极电流：25A

　　Pd-功率耗散：25W

　　Vgs-栅源极击穿电压：20V

　　RdsOn@10V-漏源导通电阻：7mΩ

　　RdsOn@4.5V-漏源导通电阻：10.5mΩ

　　封装：DFN3X38L

　　引脚图/引脚功能：

　　mosfet管应用领域：

　　SMPS和常规应用

　　硬开关和高频电路

　　持续电源供应

　　辉天成电子有限公司以TI为主线，ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线，所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业，合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业，亦有洲明科技及珠海太川等大客户。 公司拥有一批经验丰富的专业采购及销售团队，长期关注电子产业的最新动态与价格变化，与全球IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系，与国内着名设计厂商达成合作，授权代理。同时快速响应新老客户需求，企业内部管理启用了业内先进的ERP管理系统，高效快速整合公司的资源，为客户带来星级服务。