深圳市誉辉天成电子有限公司
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MOS功率场有效应晶体管NCE4060K
MOS功率场有效应晶体管NCE4060K产品参数：
NCE4060K一般特征
VDS=40v，ID=60
RDS(ON)<13mΩ@vg=10v
高密度电池设计超低Rdson
充分描述雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
良好的散热包装
特殊工艺，具有高ESD能力
MOS功率场有效应晶体管NCE4060K一般特征：
VDS=40V,ID=60A
RDS(ON)<13mΩ@vg=10v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
优异的散热包装
特殊工艺，具有高ESD能力
MOS功率场有效应晶体管NCE4060K应用程序：
负荷开关
硬开关高频电路
不间断电源
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
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