深圳市誉辉天成电子有限公司

　　MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。

　　MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关 电路。

　　mos管NCE0160G采用了先进的沟槽技术和设计，提供了极好的低栅充电RDS(ON)。该装置适用于PWM、负载开关和一般应用场合。

　　一般特征：

　　VDS=100V，ID=60A

　　RDS(ON)<16mΩ@vg=12.6v

　　特别为转换器和功率控制而设计

　　高密度电池设计超低Rdson

　　充分描述雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　良好的散热包装

　　应用程序：

　　功率切换应用程序

　　硬开关和高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：100V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：60A

　　漏极电流连续(TC=70℃)：50A

　　脉冲漏极电流：80A

　　最大功耗：105W

　　降额因子：0.70W/℃

　　单脉冲雪崩能量：550mJ

　　操作结和存储温度范围：-55~175℃

　　电气特性(TC=25，除非另有说明):