深圳市誉辉天成电子有限公司
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北京mos管NCE01H10
产品型号：NCE01H10
产品种类：MOSFET
漏源极击穿电压（最大）：100V
连续漏极电流（最大）：100A
功率耗散（最大）：200W
栅源极击穿电压：20V
漏源导通电阻（典型值）(10V)：9.9mΩ
封装：TO-220
一般特征：
VDS=100V,ID=100A
RDS(ON)<13mΩ@vg=10v(Typ:9.9m?)
特殊工艺，具有高ESD能力
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
优异的散热包装
应用程序：
电源开关应用
硬开关高频电路
不间断电源
引脚图：
电气特性(TC=25℃，除非另有说明)：
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