深圳市誉辉天成电子有限公司
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场效应管NCE40P70K采用先进的沟槽技术和设计提供优良的RDS(ON)与低门电荷该设备非常适合于高电流负载的应用。
场效应管NCE40P70K特征：
VDS=-40v,ID=-70
RDS(ON)<10mΩ@vg=-10v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
优异的散热包装
特殊工艺，具有高ESD能力
场效应管NCE40P70K参数：
产品型号：NCE40P70K
商品目录：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C时）：70A
漏源电压（Vdss）：40V
栅源极阈值电压：2.5V@250uA
漏源导通电阻：10mΩ@20A,10V
类型：P沟道
最大功率耗散（Ta）：130W
应用程序：
电源开关
高电流应用中的负载开关
DC/DC转换器
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
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