深圳市誉辉天成电子有限公司
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NCE01P18D采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。ESD提出抗议。
一般特征：
VDS=-100v,ID=-18
RDS(ON)<100mΩ@vg=-10v(Typ：85mΩ)
超高密度电池设计
先进的挖沟工艺
可靠和崎岖的
高密度电池设计，超低导通电阻
应用程序：
笔记本电脑电源管理
便携式设备和电池供电系统
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-100v
栅源电压：±20v
漏电流连续：-18a
漏电流连续(TC=100℃)：-12a
脉冲漏电流：-72a
最大功耗：70w
降额因子：0.47W/℃
工作结和储存温度范围：-55~175℃
电气特性(TC=25℃，除非另有说明)：
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