深圳市誉辉天成电子有限公司

常用场效应管

　　产品型号：NCE30D2519K

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：25A(Tc),19A(Tc)

　　漏源电压（Vdss）：30V

　　栅源极阈值电压：3V@250uA

　　漏源导通电阻：12mΩ@7A,10V

　　类型：N和P沟道

　　最大功率耗散（Ta）：21W(Tc)

　　一般特征：

　　N通道

　　VDS=30v,ID=25

　　RDS(ON)<12mΩ@vg=10v

　　RDS(ON)<18mΩ@vg=4.5v

　　p通道

　　VDS=-30V,ID=-19A

　　RDS(ON)<35mΩ@vg=-10v

　　RDS(ON)<65mΩ@vg=-4.5v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用程序:

　　h桥

　　逆变器

　　标记和引脚分配：

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　注：前者n沟道，后者P沟道

　　漏源极电压：-30V,-30V

　　栅源电压：±20V；±20V

　　连续漏电流：

　　TC=25℃：25;-19A

　　TC=100℃：17.7A,-13.4A

　　最大功耗：21W

　　操作结和存储温度范围：-55~175℃