深圳市誉辉天成电子有限公司
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通用N沟道MOS管NCE2060K采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
产品型号：NCE2060K
产品种类：MOSFET
产品特性：N沟道增强型功率MOSFET
漏源极击穿电压（最大）：20V
连续漏极电流（最大）：30A
功率耗散（最大）：40W
栅源极击穿电压：10V
漏源导通电阻（典型值）(10V)：8mΩ
封装：TO252
典型应用电路图：
应用领域：
负载开关
硬开关和高频电路
不间断电源供应
典型效率曲线：
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
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