深圳市誉辉天成电子有限公司

　　NCE3400AY采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅电荷和低2.5V的栅电压操作。本设备适用于电池保护或其他开关应用。

　　产品型号：NCE3400AY

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：5.8A

　　漏源电压（Vdss）：30V

　　栅源极阈值电压：1.4V@250uA

　　漏源导通电阻：27mΩ@5.8A,10V

　　类型：N沟道

　　最大功率耗散（Ta）：1.4W

　　一般特征：

　　vds=30V,ID=5.8A

　　rds(ON)<55mΩ@VGS=2.5V

　　rds(ON)<42mΩ@VGS=4.5V

　　rds(ON)<40mΩ@VGS=10V

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　PWM程序

　　负荷开关

　　电力管理

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：30v

　　栅源电压：±12v

　　漏电流连续：5.8A

　　漏电流脉冲：30a

　　最大功耗：1.4W

　　工作结和储存温度范围：-55~150℃

　　包装信息：