深圳市誉辉天成电子有限公司

mosfet国内厂家

　　产品型号：NCE8601B

　　品牌：NCE新洁能

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：30V

　　连续漏极电流（最大）：8A

　　功率耗散（最大）：1.5W

　　栅源极击穿电压：10V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：15mΩ

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：18mΩ

　　封装：TSSOP8

　　一般特征：

　　VDS=30V,ID=8A

　　RDS(ON)<26mΩ@vg=4.5v

　　RDS(ON)<21mΩ@vg=10v

　　ESD等级：2000VHBM

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　应用领域：

　　PWM应用

　　负荷开关

　　原理及引脚分配图：

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：30V

　　栅源电压：±12V

　　漏极电流连续：8A

　　漏极电流脉冲：32A

　　最大功耗：1.5W

　　操作结和存储温度范围：-55至150℃

　　包装信息：