深圳市誉辉天成电子有限公司
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NCE60H15采用先进的沟槽技术和设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极电荷。它可以在各种各样的应用中。
产品型号：NCE60H15
商品目录：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C时）：150A
漏源电压（Vdss）：60V
栅源极阈值电压：4V@250uA
漏源导通电阻：4.5mΩ@75A,10V
类型：N沟道
最大功率耗散（Ta）：220W
一般特征：
VDS=60V,ID=150A
RDS(ON)<4.5mΩ@vg=10v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
优异的散热包装
特殊工艺，具有高ESD能力
应用领域：
电源开关的应用
硬开关和高频电路
不间断电源供应
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
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