深圳市誉辉天成电子有限公司
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产品型号：NCE60H15D
品牌：新洁能NCE
产品种类：MOSFET
产品特性：N沟道增强型功率MOSFET
漏源极击穿电压（最大）：60V
连续漏极电流（最大）：150A
功率耗散（最大）：220W
栅源极击穿电压：20V
漏源导通电阻（典型值）(10V)：3.4mΩ
封装：TO220
一般特点:
VDS=60V,ID=150A
RDS(ON)<4.5mΩ@vg=10v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
优异的散热包装
特殊工艺，具有高ESD能力
应用程序:
电源开关应用
硬开关高频电路
不间断电源
标记和引脚分配：
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传真：0755-82534548
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