深圳市誉辉天成电子有限公司
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NCE7190H采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。
NCE7190H一般特征：
vds=71V,ID=90A
rds(ON)<6.8mΩ@VGS=10V(类型：5.9mΩ)
特殊工艺，具有高ESD能力
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS值高
优异的散热包装
NCE7190H应用程序：
电源开关应用
硬开关高频电路
不间断电源
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：71V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：90
漏极电流连续(TC=100℃)：63
脉冲漏极电流：320
最大功耗：170W
降额因子：1.13W/℃
单脉冲雪崩能量(注5)：550mj
操作结和存储温度范围：-55-175℃
包装信息：
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