深圳市誉辉天成电子有限公司
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11年
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NCE3020Q采用了先进的沟槽技术和设计，以低栅荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。
一般特征：
vds=30V，ID=20A
RDS(ON)<9mΩ@VGS=10V
RDS(ON)<15mΩ@VGS=4.5V
高密度电池设计超低Rdson
充分描述雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，具有较高的AS值
良好的散热包装
特殊工艺，具有高ESD能力
应用程序：
功率切换应用程序
硬开关和高频电路
不间断电源
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：30V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：20A
漏极电流连续(TC=100℃)：14.1A
脉冲漏极电流：80A
最大功耗：20W
降额因子：0.27W/℃
单脉冲雪崩能量：72mJ
操作结和存储温度范围：-55-150℃
测试电路:
深圳市誉辉天成电子有限公司
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