深圳市誉辉天成电子有限公司
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NCE3025Q采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
一般特征：
VDS=30v,ID=25
RDS(ON)<10mΩ@vg=10v
RDS(ON)<14mΩ@vg=4.5v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
优异的散热包装
特殊工艺，具有高ESD能力
应用程序：
SMPS和通用应用
硬开关高频电路
不间断电源
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：30v
栅源电压：±20v
漏电流连续：5a
漏电流连续(TC=100℃)：17a
脉冲漏电流：50a
最大功耗：25w
降额因子：0.2W/℃
单脉冲雪崩能量：70mJ
工作结和储存温度范围：-55~150℃
电气特性(TC=25℃，除非另有说明)：
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