深圳市誉辉天成电子有限公司
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NCE50N03K采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。
一般特征：
vds=30V,ID=50A
RDS(ON)<8mΩ@VGS=10
RDS(ON)<12mΩ@VGS=5
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS值高
优异的散热包装
特殊工艺，具有高ESD能力
应用程序：
电源开关应用
硬开关高频电路
不间断电源
引脚及封装：
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：30V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：50
漏极电流连续(TC=100℃)：35
脉冲漏极电流：150A
最大功耗：58W
降额因子：0.39W/℃
单脉冲雪崩能量：90mJ
操作结和存储温度范围：-55-175℃
电气特性(TC=25℃，除非另有说明):
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