深圳市誉辉天成电子有限公司
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高压mosfet型号NCE60P04Y采用先进的沟槽技术和设计，提供了极好的RDS(ON)与低栅电荷。
一般特征：
VDS=-60V,ID=-4A
RDS(ON)<120mΩ@vg=-10v
RDS(ON)<170mΩ@vg=-4.5v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
优异的散热包装
应用程序：
负荷开关
PWM程序
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-60v
栅源电压：±20v
漏电流连续：-4a
脉冲漏电流：-12a
最大功耗：5W
工作结和储存温度范围：-55~150℃
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