深圳市誉辉天成电子有限公司
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晶体场效应管型号NCE3035K采用了先进的沟槽技术和设计，以低栅荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。
一般特征：
vds=30V,ID=35A
rds(ON)<15mΩ@VGS=10V
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS值高
优异的散热包装
特殊工艺，具有高ESD能力
应用程序：
电源开关应用
硬开关高频电路
不间断电源
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：30V
栅源电压：±20v
漏电流连续：35a
漏电流连续(TC=100℃)：35a
脉冲漏电流：24.8A
最大功耗：45W
降额因子：0.36W/℃
单脉冲雪崩能量：225mj
工作结和储存温度范围：-55~150℃
电气特性(TC=25℃，除非另有说明)：
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