深圳市誉辉天成电子有限公司
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低压MOS场效应管
NCE20P70G采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
一般特征：
VDS=-20V,ID=-70A
RDS(ON)<3mΩ@vg=-4.5v
RDS(ON)<4mΩ@vg=-2.5v
RDS(ON)<8mΩ@vg=-1.8v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
优异的散热包装
应用程序：
负荷开关
电池保护
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-20v
栅源电压：±10v
漏电流连续：-70a
漏电流连续(TC=100℃)：-49.5A
脉冲漏电流：-280a
最大功耗：130w
降额因子：0.64W/℃
工作结和储存温度范围：-55~150℃
包装信息：
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