深圳市誉辉天成电子有限公司
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开关管mos
产品型号：NCE3011E
商品目录：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C时）：11A
漏源电压（Vdss）：30V
栅源极阈值电压：2V@250uA
漏源导通电阻：10mΩ@8A,10V
类型：N沟道
最大功率耗散（Ta）：2.5W
一般特征:
VDS=30V,ID=11A
RDS(ON)<10mΩ@vg=10v
RDS(ON)<14mΩ@vg=4.5v
ESD等级:2000VHBM
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
应用程序:
PWM程序
负荷开关
绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明):
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