深圳市誉辉天成电子有限公司
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NCE8651Q采用先进的沟槽技术和设计，以低栅荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。
结场效应晶体管NCE8651Q一般特征：
vds=20V,ID=10A
RDS(ON)<11mΩ@VGS=4.5V
RDS(ON)<11.5mΩ@VGS=4V
RDS(ON)<12.5mΩ@VGS=3.1V
RDS(ON)<15.5mΩ@VGS=2.5V
高密度电池设计超低Rdson
充分描述雪崩电压和电流
2.5v驱动
常见的排水类型
结场效应晶体管NCE8651Q应用：
电池保护开关
移动设备电池充放电
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：20V
栅源电压：±12V
漏极电流连续：10A
脉冲漏极电流：32A
最大功耗：1.5W
操作结和存储温度范围：-55-150℃
电气特性(TC=25℃，除非另有说明):
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