深圳市誉辉天成电子有限公司
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产品型号：NCE6990
品牌：NCE新洁能
产品种类：MOSFET
产品特性：N沟道增强型功率MOSFET
漏源极击穿电压（最大）：69V
连续漏极电流（最大）：90A
功率耗散（最大）：160W
栅源极击穿电压：20V
漏源导通电阻（典型值）(10V)：6.2mΩ
封装：TO-220
一般特征：
vds=69V,ID=90A
RDS(ON)<7.0mΩ@VGS=10V(Typ:5.7mΩ)
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS值高
优异的散热包装
特殊工艺，具有高ESD能力
应用领域：
电源开关的应用
硬开关和高频电路
不间断电源供应
典型效率曲线：
普通高压MOS器件NCE6990更多参数请致电咨询！
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