深圳市誉辉天成电子有限公司
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NCE30NP07S采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)和低栅电荷。
P/N沟道超高速开关场效应管一般特征：
n沟道
VDS=30V,ID=6.5A
RDS(ON)<24mΩ@vg=10v
RDS(ON)<37mΩ@vg=4.5v
p沟道
VDS=-30V,ID=-7A
RDS(ON)<32mΩ@vg=-10v
RDS()<70mΩ@vg=-4.5v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：
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