深圳市誉辉天成电子有限公司
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中低压场效应管MOS管NCE3416采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，低栅极充电和低1.8V的栅极电压操作。该装置适用于负载开关或PWM应用场合，对静电放电有一定的抑制作用。
一般特征:
VDS=20V,ID=6.5A
RDS(ON)<40mΩ@vg=1.8v
RDS(ON)<33mΩ@vg=2.5v
RDS(ON)<27mΩ@vg=4.5v
ESD等级：2000VHBM
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
应用程序：
PWM程序
负荷开关
绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：20V
栅源电压：±12V
漏极电流连续：6.5A
漏极电流脉冲：30A
最大功耗：1.4W
操作结和存储温度范围：-55-150℃
包装信息：
深圳市誉辉天成电子有限公司
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