深圳市誉辉天成电子有限公司
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11年
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NCE0110AS采用先进的沟槽技术和设计，提供了极好的RDS(ON)与低闸门充电。它可以用于各种各样的应用。
一般特征：
VDS=100V,ID=10A
RDS(ON)<17mΩ@vg=10v(Typ：14mΩ)
特殊工艺，具有高ESD能力
高密度电池设计超低Rdson
充分描述雪崩电压和电流
应用程序：
直流/直流主侧开关
电信/服务器
同步整流
绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：100V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：10
漏极电流连续(TC=100℃)：7
脉冲漏极电流：70
最大功耗：3.1W
操作结和存储温度范围：-55-150℃
包装信息：
深圳市誉辉天成电子有限公司
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