深圳市誉辉天成电子有限公司

　　产品型号：NCE0157A2

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　类型：N沟道

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：57A(Tc)

　　漏源电压（Vdss）：100V

　　栅源极阈值电压：4V@250uA

　　漏源导通电阻：17.5mΩ@28A,10V

　　最大功率耗散（Ta）：160W(Tc)

　　一般特征：

　　VDS=100V,ID=57A

　　RDS(ON)<17.5mΩ@vg=10v(Typ:14.5m?)

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压:100v

　　栅源电压:±20v

　　漏电流连续:57a

　　漏电流连续(TC=100℃):40a

　　脉冲漏电流:160A

　　最大功耗:160w

　　降凝系数:-1.06W/℃:(注5)EAS580mJ

　　电气特性(TC=25℃，除非另有说明)：