深圳市誉辉天成电子有限公司
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金属氧化层半导体场效应晶体管NCE4558K采用了先进的沟槽技术和设计，提供了极好的rds(ON)与低闸门充电。它可以用于各种各样的应用。
一般特征：
vds=45V,ID=58A
RDS(ON)<12MΩ@VGS=10V
RDS(ON)<18MΩ@VGS=4.5V
高密度电池设计超低Rdson
充分描述雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，具有较高的AS值
良好的散热包装
特殊工艺，具有高ESD能力
应用程序：
负荷开关
硬开关和高频电路
不间断电源
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
封装：
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