深圳市誉辉天成电子有限公司

　　产品型号：NCE40H12K

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：120A(Tc)

　　漏源电压（Vdss）：40V

　　栅源极阈值电压：2.5V@250uA

　　漏源导通电阻：4mΩ@20A,10V

　　类型：N沟道

　　最大功率耗散（Ta）：120W(Tc)

　　一般特点：

　　VDS=40v,ID=120

　　RDS(ON)<4.0mΩ@vg=10v

　　RDS(ON)<7mΩ@vg=4.5v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用程序：

　　负荷开关

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：40V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：120A

　　漏极电流连续(TC=100℃)：85A

　　脉冲漏极电流：330A

　　最大功耗：120W

　　降额因子：0.8W/℃

　　单脉冲雪崩能量：1080mJ

　　操作结和存储温度范围：-55-175℃

　　产品封装：