深圳市誉辉天成电子有限公司
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驱动mos管NCE3025G采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
一般特点：
VDS=30v,ID=25
RDS(ON)<10mΩ@vg=10v
RDS(ON)<14mΩ@vg=4.5v
高密度电池设计超低Rdson
充分描述雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
良好的散热包装
特殊工艺，具有高ESD能力
应用程序：
SMPS和通用应用程序
硬开关和高频电路
不间断电源
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明):
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