深圳市誉辉天成电子有限公司
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产品型号：NCE4009S
商品目录：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C时）：9A(Tc)
漏源电压（Vdss）：40V
栅源极阈值电压：2V@250uA
漏源导通电阻：16mΩ@8A,10V
类型：N沟道
最大功率耗散（Ta）：2W(Tc)
一般特征：
n沟道
VDS=40v,ID=9
RDS(ON)<16mΩ@vg=10v
RDS(ON)<24mΩ@vg=4.5v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：40V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：9A
漏极电流连续(TC=100℃)ID：6.4A
脉冲漏极电流：40A
最大功耗：2W
操作结和存储温度范围：-55-150℃
N-CH电气特性(TA=25℃，除非另有说明)：
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