深圳市誉辉天成电子有限公司

　　产品型号：NCEP60T12A

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：120A(Tc)

　　漏源电压（Vdss）：60V

　　栅源极阈值电压：2.4V@250uA

　　漏源导通电阻：4mΩ@60A,10V

　　类型：N沟道

　　最大功率耗散（Ta）：180W(Tc)

　　一般特征：

　　VDS=60v,ID=120RDS()<4.0mΩ@vg=10v(Typ：3.5mΩ)RDS()<5.0mΩ@vg=4.5v(Typ：4.0mΩ)

　　优秀的门电荷xRDS(on)产品

　　极低导通电阻RDS(on)

　　工作温度175℃

　　Pb-free镀铅

　　100%的用户界面测试

　　应用程序：

　　直流/直流转换器

　　适用于高频开关和同步整流

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：60V

　　栅源电压：±20V

　　排水卡伦牌连续(硅有限公司)：120A

　　漏极电流连续(TC=100℃)：100A

　　脉冲漏极电流：480

　　最大功耗：180W

　　降额因子：1.2W/℃

　　单脉冲雪崩能量：500mJ

　　操作结和存储温度范围：-55-175℃

　　测试电路：