深圳市誉辉天成电子有限公司
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产品型号：NCE3080IA
商品目录：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C时）：80A(Tc)
漏源电压（Vdss）：30V
栅源极阈值电压：1.4V@250uA
漏源导通电阻：6.5mΩ@30A,10V
类型：N沟道
最大功率耗散（Ta）：83W(Tc)
一般特征：
VDS=30v,ID=80
RDS(ON)<6.5mΩ@vg=10v
RDS(ON)<10mΩ@vg=5v
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
优异的散热包装
应用程序：
电源开关应用
硬开关高频电路
不间断电源
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
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