深圳市誉辉天成电子有限公司
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产品型号：NCEP60T12AK
商品目录：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C时）：120A
漏源电压（Vdss）：60V
栅源极阈值电压：2.4V@250uA
漏源导通电阻：4mΩ@60A,10V
类型：N沟道
最大功率耗散（Ta）：180W(Tc)
一般特征：
VDS=60V,ID=120A
RDS(ON)<4.0mΩ@vg=10v(Typ:3.5mΩ)
RDS(ON)<5.0mΩ@vg=4.5v(Typ:4.0mΩ)
优秀的门电荷xRDS(on)产品
极低导通电阻RDS(on)
工作温度175℃
无铅电镀
100%ui测试
封装：
应用程序：
直流/直流转换器
适用于高频开关和同步整流
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
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