深圳市誉辉天成电子有限公司
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NCE75H11采用先进的沟槽技术和设计，以低栅荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。
一般特征：
vds=75V,ID=110A
rds(ON)<9mΩ@VGS=10V(类型：7.5mΩ)
特殊工艺，具有高ESD能力
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS值高
优异的散热包装
应用程序：
电源开关应用
硬开关高频电路
不间断电源
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：75V
栅源电压：±25V
漏极电流连续：110A
漏极电流连续(TC=100℃)：78A
脉冲漏极电流：350A
最大功耗：210W
单mos管封装：
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