深圳市誉辉天成电子有限公司
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NCE4080K采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
mos管TO-252一般特征：
VDS=30v,ID=80
RDS(ON)<6.5mΩ@vg=10v
RDS(ON)<10mΩ@vg=5v
高密度电池设计超低Rdson
充分描述雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
良好的散热包装
mos管TO-252应用程序：
电源开关应用
硬开关高频电路
不间断电源
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：30V
栅源电压：±20V
漏极电流连续：80A
漏极电流连续(TC=100℃)：50A
脉冲漏极电流：170A
最大功耗：83W
降额因子：0.56W/℃
单脉冲雪崩能量：306mJ
操作结和存储温度范围：-55-175℃
电气特性(TC=25℃，除非另有说明)：
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