深圳市誉辉天成电子有限公司
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大功率P沟道MOS管NCE20P07N采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅电荷和低1.8v的栅电压操作。该装置适用于负载开关或PWM应用场合，对静电放电有一定的抑制作用。
NCE0208KA使用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的R DS（ON）。它可以用于多种应用。
大功率P沟道MOS管一般特点：
VDS=-20V,ID=-7A
RDS(ON)<45mΩ@vg=-2.5v
RDSON()<35mΩ@vg=-4.5v
ESD等级：2500VHBM
高功率和电流处理能力
表面安装包
无铅端面镀层
通过无铅认证
无卤素
大功率P沟道MOS管应用程序：
PWM程序
负荷开关
大功率P沟道MOS管封装：
绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：
漏源电压：-20v
栅源电压：±10v
漏电流连续：-7a
漏电流脉冲：-30a
最大功耗：1.5W
工作结和储存温度范围：-55~150℃
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