您好,欢迎来到深圳市誉辉天成电子有限公司! 登录 | 免费注册

深圳市誉辉天成电子有限公司

品质保障
质量第一
品类齐全
11年
全部商品分类

元器件产品

COMPONENT PRODUCTS

MOSFET晶体管SIS412DN-T1-GE3
MOSFET晶体管SIS412DN-T1-GE3
<>

MOSFET晶体管SIS412DN-T1-GE3

型号/规格:

MOSFETSIS412DN-T1-GE3

品牌/商标:

Vishay

封装形式:

PowerPAK® 1212-8

环保类别:

普通型

安装方式:

直插式

包装方式:

卷带编带包装

产品信息

产品简介:MOSFET晶体管SIS412DN-T1-GE3

类型描述选择 单FET晶体管MOSFETSIS412DN-T1-GE3
类别 分立半导体产品单 FET,MOSFET  
制造商 Vishay Siliconix  
系列 TrenchFET?  
包装 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带  
产品状态 在售  
FET 类型 N 通道  
技术 MOSFET(金属氧化物)  
漏源电压(Vdss) 30 V  
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Tc)  
驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V  
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 24 毫欧 @ 7.8A,10V  
不同 Id 时 Vgs(th)(值) 2.5V @ 250?A  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 12 nC @ 10 V  
Vgs(值) ?20V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 435 pF @ 15 V  
FET 功能 -  
功率耗散(值) 3.2W(Ta),15.6W(Tc)  
工作温度 -55?C ~ 150?C(TJ)  
安装类型 表面贴装型  
供应商器件封装 PowerPAK? 1212-8  
封装/外壳 PowerPAK? 1212-8  
基本产品编号 MOSFET晶体管SIS412DN-T1-GE3



MOSFET晶体管SIS412DN-T1-GE3

MOSFET晶体管SIS412DN-T1-GE3

应用领域:

医疗设备,仪器仪表设备,测量设备,电源,电力设备,智能控制设备,电子称,手机,GPS,笔记本电脑,汽车电子及其它高端电子智能控制设备等等。

公司简介:

誉辉天成电子以TI为主线,ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线,所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业,合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业,亦有洲明科技及珠海太川等大客户。深圳市誉辉天成电子有限公司成立于2009年,位于素有“中国硅谷”之称的深圳市中心区华强北电子交易市场,这里是亚洲电子交易繁荣的地带。公司不仅占据着良好的地理优势,作为业内的电子元器件代理分销商,一直专注于IC电子产品的销售、推广及其它相关的配套服务,在电子业界已有数十年的从业经验。誉辉天成电子有限公司以TI为主线,ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线,所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业,合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业,亦有洲明科技及珠海太川等大客户。 公司拥有一批经验丰富的采购及销售团队,长期关注电子动态与价格变化,与IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系

合作品牌:TION、NXP、ST、SKYWORKS等


公司地理位置: