深圳市誉辉天成电子有限公司

类别

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

onsemi

系列

PowerTrench®

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

25A（Ta），130A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）

8V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）

2.4 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）

4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）

155 nC @ 10 V

Vgs（大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）

10680 pF @ 40 V

FET 功能

-

功率耗散（大值）

2.7W（Ta），156W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-PQFN（5x6）

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

MOSFET晶体管FDMS86350