深圳市誉辉天成电子有限公司

类别

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET?

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel? 得捷定制卷带

零件状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

35A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）

1.85 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（值）

2.35V @ 100?A

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）

77 nC @ 10 V

Vgs（值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）

5114 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（值）

3.6W（Ta），110W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PQFN（5x6）单芯片焊盘

封装/外壳

8-PowerVDFN

基本产品编号

IRFH5301TRPBF晶体管MOSFET