深圳市誉辉天成电子有限公司

类别

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET?

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel? 得捷定制卷带

Product Status

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

20 V

25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)

780mA（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On）

2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）

600 毫欧 @ 610mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（值）

1.5V @ 250?A

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）

3.6 nC @ 4.45 V

Vgs（值）

?12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）

97 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（值）

540mW（Ta）

工作温度

-55?C ~ 150?C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

Micro3?/SOT-23

封装/外壳

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

基本产品编号

IRLML6302TRPBF晶体管MOSFET